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Aug 16, 2023

Rohm intègre un pilote avec GaN hemt pour éliminer les problèmes de tension de grille

Rohm a co-packagé un pilote de grille et un transistor de puissance GaN 650 V pour faciliter la conception des alimentations des serveurs et des adaptateurs secteur. « Alors que les hemts GaN devraient contribuer à une plus grande

Rohm a co-packagé un pilote de grille et un transistor de puissance GaN 650 V pour faciliter la conception des alimentations des serveurs et des adaptateurs secteur.

"Bien que les hemts GaN devraient contribuer à une plus grande miniaturisation et à une meilleure efficacité de conversion de puissance, la difficulté de manipulation de la grille par rapport aux mosfets en silicium nécessite l'utilisation d'un pilote de grille dédié", selon la société. "En réponse, Rohm a développé des circuits intégrés d'étage de puissance qui intègrent des hemts GaN et des pilotes de grille dans un seul boîtier en tirant parti des technologies de puissance et analogiques de base."

Il y a jusqu'à présent deux parties dans la série, appelées BM3G0xxMUV-LB :

Les deux peuvent accepter un signal de commande compris entre 2,5 et 30 V « permettant la compatibilité avec pratiquement n'importe quel circuit intégré de contrôleur dans les alimentations primaires, facilitant le remplacement des mosfets à super-jonction en silicium existants », a déclaré Rohm.

La puissance peut provenir de 6,5 à 30 V, et la régulation de la tension de grille, si critique pour les hemts GaN, est prise en charge par le circuit intégré.

Mis à part la résistance à l'état passant, les deux circuits intégrés sont largement similaires avec, généralement, un courant de repos de 150 à 180 µA, un délai d'activation de 12 ns, un délai d'arrêt de 15 ns, un fonctionnement de -40 à +105 °C et un boîtier VQFN de 8 x 8 x 1 mm. .

Les transistors GaN sont suffisamment rapides pour provoquer des interférences importantes, la force de commande est donc programmable par résistance. "En général, il y a un compromis entre l'efficacité et l'EMI", a déclaré Rohm. « Une vitesse de commutation plus élevée réduit la perte de commutation et, d'autre part, augmente le bruit de commutation. En ajustant la résistance, la vitesse de montée en marche peut être sélectionnée librement entre 28 et 100 V/ns.

Remarque : Sur résistance mesurée à 0,5A Id, 5Vin, 25°C ambiante

Dans le même temps, la société a annoncé des plans pour des circuits intégrés similaires avec des configurations différentes : un pour les convertisseurs ac-dc quasi-résonants et un autre pour la correction du facteur de puissance, tous deux prévus pour une production en série début 2024, puis, pour le deuxième trimestre 2024, un demi-pont. . Le premier et le dernier d’entre eux comprendront des déchargeurs à condensateur X intégrés.