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Jul 28, 2023

Projet ETMOS pour développer des diodes et des transistors ultrarapides...

Le carbure de silicium (SiC) et les nitrures du groupe III (GaN, AlN, InN et leurs alliages) jouent un rôle crucial dans la conversion de puissance économe en énergie, dans l'électronique haute fréquence et l'optoélectronique. En combinant les

Le carbure de silicium (SiC) et les nitrures du groupe III (GaN, AlN, InN et leurs alliages) jouent un rôle crucial dans la conversion de puissance économe en énergie, dans l'électronique haute fréquence et l'optoélectronique. En combinant la technologie mature de ces semi-conducteurs à large bande interdite avec les propriétés exceptionnelles des matériaux 2D, comme le graphène et les dichalcogénures de métaux de transition (en particulier le bisulfure de molybdène (MoS2)), les chercheurs peuvent développer des diodes et des transistors ultra-rapides.

D'avril 2020 à mars 2023, des chercheurs du CNR-IMM (Italie), du CNRS-CRHEA (France), de l'IEE-SAS (Slovaquie), du MFA-EK (Hongrie) et de l'Université de Palerme (Italie) ont collaboré au FLAG- Projet ERA ETMOS visant à construire des dispositifs conceptuels basés sur MoS2, SiC et nitrure de gallium (GaN).

Le point culminant du projet ETMOS a été le développement de diodes à hétérojonction MoS2/SiC et MoS2/GaN présentant d'excellentes propriétés de rectification. L'injection de courant réglable a été réalisée en adaptant le dopage des surfaces MoS2 ou SiC (GaN).

Le projet ETMOS a activement diffusé ses résultats scientifiques par divers moyens, notamment en les publiant dans des revues à comité de lecture en libre accès, en participant à des conférences internationales et en organisant un symposium lors de la réunion d'automne 2022 de la Société européenne de recherche sur les matériaux (EMRS).

« L'intégration de matériaux 2D offre de nouvelles fonctionnalités au SiC et au GaN, élargissant ainsi la gamme d'applications potentielles de ces semi-conducteurs à large bande interdite. Je m'attends à ce que de nouvelles opportunités de marché soient ouvertes grâce à cette technologie », déclare Filippo Giannazzo, directeur de recherche du CNR-IMM.

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