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Transistor à canal N Mosfet G30n03D3 30V 30A Dfn pour charge rapide
Transistor à boîtier DFN MOSFET G30N03D3 30 V 30 A à canal N pour charge rapide Description générale Le G30N03D3 utilis
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Informations de base.
Numéro de modèle. | G30N03D3 |
Spq | 4000 pièces/bobine |
Forfait Transport | Carton |
spécification | Paquet DFN |
Marque déposée | CONFORT |
Origine | Chine |
Code SH | 8541290000 |
Description du produit
Transistor MOSFET G30N03D3 30V 30A DFN à canal N pour Charge rapideDescription générale Le G30N03D3 utilise une technologie de tranchée avancée pour fournir un excellent RDS(ON) et une faible charge de grille. Il peut être utilisé dans une grande variété d’applications.
Caractéristiques générales
Caractéristiques générales VDS 30 V ID (à VGS = 10 V) 30 A RDS (ON) (à VGS = 4,5 V) < 12 mΩ Testé à 100 % contre les avalanches Conforme RoHS
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Principaux clients
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Nos applications de produits sont : cigarettes électroniques, ligne de données Apple, gradation LED, alimentation mobile, prise USB, etc. Nous fournissons un support technique solide pour nos produits. Avec un grand volume de ventes, nous pouvons assurer une bonne compétitivité tant en qualité qu’en prix.
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