Transistor Mosfet à jonction superbe haute tension Gc11n65K 650V 11A

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Transistor Mosfet à jonction superbe haute tension Gc11n65K 650V 11A

Transistor Mosfet à jonction superbe haute tension Gc11n65K 650V 11A

Présentation Description du produit Transistor Mosfet à super jonction haute tension GC11N65K 650 V 11 A Efficacité : ef

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DESCRIPTION

Overview
Informations de base.
Numéro de modèle.GC11N65K
MatérielSilicium
Actionen stock
Emballerà-220
Statut sans plombSans Pb
Spq2500 pièces/bobine
ÉchantillonDisponible
RDS360 M.
PD78W
IDENTIFIANT11A
Vdss650V
Forfait TransportTube
Marque déposéeCONFORT
OrigineChine
Code SH8541290000
Description du produit
Description du produit


Transistor Mosfet à jonction superbe haute tension GC11N65K 650V 11A
Efficacité : efficacité de charge légère plus élevée, Rdson et Qg ultra-faibles, réduisent efficacement les pertes ; faible élévation de température : consommation d'énergie réduite, réduit efficacement la température de fonctionnement globale de l'alimentation, prolonge la durée de vie de l'alimentation ; Haute stabilité : processus de fabrication planaire, forte capacité EAS, par rapport au processus de rainure SJ MOS pour fournir une protection plus efficace contre les chocs électriques, améliorant considérablement la stabilité à haute température. Meilleures performances EMI.

Numéro d'articleGC11N65k
VDSS650V
IDENTIFIANT11A
RDS360 mΩ à vgs=10 V
Vème2,5 ~ 4 V
EmballerTO-220
Ciss901 pF
Croix5,5 pF
Fiche de données

High Voltage Gc11n65K Super Junction Mosfet Transistor 650V 11A

High Voltage Gc11n65K Super Junction Mosfet Transistor 650V 11AHigh Voltage Gc11n65K Super Junction Mosfet Transistor 650V 11A


High Voltage Gc11n65K Super Junction Mosfet Transistor 650V 11A

High Voltage Gc11n65K Super Junction Mosfet Transistor 650V 11A