Transistor Mosfet à jonction superbe haute tension Gc11n65K 650V 11A
Présentation Description du produit Transistor Mosfet à super jonction haute tension GC11N65K 650 V 11 A Efficacité : ef
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OverviewInformations de base.
Numéro de modèle. | GC11N65K |
Matériel | Silicium |
Action | en stock |
Emballer | à-220 |
Statut sans plomb | Sans Pb |
Spq | 2500 pièces/bobine |
Échantillon | Disponible |
RDS | 360 M. |
PD | 78W |
IDENTIFIANT | 11A |
Vdss | 650V |
Forfait Transport | Tube |
Marque déposée | CONFORT |
Origine | Chine |
Code SH | 8541290000 |
Description du produit
Description du produit
Transistor Mosfet à jonction superbe haute tension GC11N65K 650V 11A
Efficacité : efficacité de charge légère plus élevée, Rdson et Qg ultra-faibles, réduisent efficacement les pertes ; faible élévation de température : consommation d'énergie réduite, réduit efficacement la température de fonctionnement globale de l'alimentation, prolonge la durée de vie de l'alimentation ; Haute stabilité : processus de fabrication planaire, forte capacité EAS, par rapport au processus de rainure SJ MOS pour fournir une protection plus efficace contre les chocs électriques, améliorant considérablement la stabilité à haute température. Meilleures performances EMI.
Numéro d'article | GC11N65k |
VDSS | 650V |
IDENTIFIANT | 11A |
RDS | 360 mΩ à vgs=10 V |
Vème | 2,5 ~ 4 V |
Emballer | TO-220 |
Ciss | 901 pF |
Croix | 5,5 pF |
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