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May 22, 2023

Mosfet CMS SiC 1,2 kV 8,7 mΩ pour l'automobile

Infineon a utilisé sa dernière technologie de matrice en carbure de silicium dans un mosfet de 1 200 V pour les chargeurs embarqués automobiles et les convertisseurs CC-CC. Le AIMBG120R010M1, au nom vif, est disponible dans un format de 10 x 15 x 4,4 mm.

Infineon a utilisé sa dernière technologie de matrice en carbure de silicium dans un mosfet de 1 200 V pour les chargeurs embarqués automobiles et les convertisseurs CC-CC.

Le AIMBG120R010M1, au nom vif, est livré dans un boîtier D2PAK-7L de 10 x 15 x 4,4 mm (7 fils TO263) et gère 1,2 kV entre -55 et 175 °C. La ligne de fuite est de 5,89 mm, ce qui convient à l'appareil aux systèmes 800 V.

Son processus « Gen1p » a été créé pour améliorer la valeur de mérite de la zone RDSon x et, dans ce package, il peut atteindre un Rds(on) de 8,7 mΩ (grille 20 V, jonction 25 °C). Également à 25°C, le canal peut supporter 205A.

Les pertes de commutation sont 25 % inférieures à celles des pièces de première génération de l'entreprise – l'énergie de commutation totale est de 1,56 mJ à 25 °C et s'élève à 2,09 mJ à 175 °C (voir la fiche technique pour les mises en garde).

Contre une mise sous tension intempestive, le seuil de grille est d'au moins 4 V et le rapport Crss/Ciss (capacité de transfert inverse/capacité d'entrée) est faible (16pF/5,7nF = 0,0028). Une coupure fiable à Vgate = 0V est revendiquée « sans risque de mise sous tension parasite ». Cela permet une conduite unipolaire », a déclaré infineon, qui confirme cela en spécifiant les caractéristiques « off » dans la fiche technique à Vgs=0V.

Pour faciliter la conduite, il existe une connexion de source Kelvin séparée (appelée « Sense ») à côté du portail.

La puce est montée par soudure par diffusion (technologie de marque « .XT »), ce qui abaisse la température de jonction par rapport à la première génération, ajoute-t-il. La résistance thermique du mosfet ou de la jonction de la diode corporelle au boîtier est généralement de 0,13 K/W (0,17 K/W max).

En ce qui concerne la diode du corps, elle est conçue pour la commutation si l'appareil est utilisé comme redresseur synchrone et peut gérer 208 A en crête et, à 25 °C, jusqu'à 176 A en continu.

Pour les conditions d'abus, l'appareil est à la fois résistant aux avalanches et aux courts-circuits.

Retrouvez la page produit AIMBG120R010M1 ici et sa fiche technique ici